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华虹半导体第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台成功量产

时间:2018-10-11, 来源:互联网, 资讯类别:行业动态

华虹半导体有限公司(“华虹半导体”或“公司”,股份代号:1347.HK)宣布,其第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台已成功量产,该平台具有导通电阻低、高压种类全、光刻层数少等优势,对于工业控制应用和DC-DC转换器等产品是理想的工艺选择。

第二代0.18微米5V/40V BCD工艺平台40V DMOS击穿电压达到52V,其导通电阻低至 20 mOhm.mm2,达到该节点领先工艺水平,可提高产品的驱动能力,减小芯片面积,扩大高压管安全工作区(Safe-Operation-Area, SOA),保证产品的高可靠性。该工艺平台最少光罩层数为18层。该工艺平台提供丰富的可选择器件,包括高阻、电容、Zener二极管、肖特基二极管等。此外,该平台还提供in-house设计的标准单元库、SRAM编译器、IO和eFuse,从而为电源管理芯片提供完善的设计解决方案。目前,在与国内外多家客户紧密钱柜娱乐场下,公司已完成应用于电机驱动、快充、通讯、安防、DC-DC、LDO等多个领域芯片产品的验证,并成功进入量产。

以绿色科技为主导,电源管理技术扮演着举足轻重的地位。华虹半导体已引入全面的电源管理(PMIC)BCD工艺方案,在成熟的0.5微米、0.35微米、0.18微米节点上积累了丰富的量产经验。未来,华虹半导体将继续发挥在BCD和eNVM特色工艺上的技术优势,提供二者的集成方案,为智能化电源产品,打造高端电源管理系统级芯片(SoC)。

华虹半导体执行副总裁孔蔚然博士表示:“华虹半导体一直将电源管理平台视作工艺研发的重点之一,第二代0.18微米5V/40V BCD工艺量产标志着我们在PMIC领域的核心竞争力再度提升。展望未来,我们还将持续拓展更先进的智能电源管理平台,为客户提供差异化技术的竞争优势。”

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